Intel и Micron представиха нов 20 nm технологичен процес за флаш памет

Разпечатай

Intel Corporation и Micron Technology Inc. днес представиха нов, по-фин 20 nm технологичен процес за производство на NAND флаш памет. По новия 20nm процес се произвежда multi-level cell (MLC) NAND флаш устройство с капацитет от 8 GB, което осигурява по-голям капацитет в малък формат за съхранение на музика, видео, книги и друга информация върху смартфони, таблети и компютърни решения като твърдотелни дискове (SSDs), съобщиха от Intel.

Нарастването на обема за съхранението на данни, в комбинация с подобренията на характеристиките за таблети и смартфони, създава ново търсене за NAND флаш технолоията, особено за решения с по-голям капацитет в по-малък формат. Размерите на новото 20nm устройство с капацитет то 8GB са само 118 mm2, което води до намаляване на пространството, което заемат с от 30% до 40% (в зависимост от вида на пакета), в сравнение с настоящите 25nm 8GB NAND устройства на компанията. Намаляването на пространството за съхранение на данни върху флаш устройството осигурява по-високо ниво на ефективност на системата, като позволява на производителите на таблети и смартфони да използват допълнителното пространство за усъвършенстване на крайните продукти с например по-голяма батерия, по-широк екран, или добавяне на друг чип, който да оперира с нови характеристики.
Етикети: